Samsung готує випуск надшвидкої пам'яті HBM2E

Feb 04 16:50 2020 Друк цієї статті

З особливостей Flashbolt відзначимо збільшення обсягу пам'яті в розрахунку на стек. Тепер на підкладці зібрані вісім чіпів DRAM щільністю по 16 Гбіт. Тобто об'єм складає 16 ГБ.

Швидкість передачі даних на контакт становить 4,2 Гбіт/с, а пропускна здатність всього стека - 538 ГБ/с. Для порівняння, у другого покоління Aquabolt показник був в 1,75 рази менше.

До речі, параметри пам'яті перевершують раніше встановлені вимоги JEDEC. Там говорилося про швидкості в 3,2 Гбіт/с на контакт і пропускної здатності 410 ГБ/с. Важливо відзначити, що саме маркування HBM2E немає в документах JEDEC. Так в Samsung називають пам'ять HBM2 та її модифікації.

Також зазначимо, що такі модулі перевершують GDDR6, однак, очевидно, будуть дорожче, хоча поки що не повідомляється, коли вийдуть готові рішення з такою пам'яттю. Не виключено, що HBM2E третього покоління з'явиться в нових картах AMD Big Navi.

  Стаття "позначена" як: