Samsung почала масовий випуск 16-Гбайт пам'яті LPDDR5 для смартфонів

Feb 25 9:00 2020 Друк цієї статті

Компанія Samsung вирішила ще сильніше збільшити цей розрив. Для майбутніх апаратів преміального класу вона почала масштабний випуск 16-Гбайт чіпів DRAM LPDDR5.

Нові мікросхеми пам'яті Samsung рекордної ємності складаються з 12 складених у стовпчик кристалів. Вісім з них мають об'єм по 12 Гбіт, а чотири ― по 8 Гбіт. У сумі виходить одна мікросхема пам'яті об'ємом 16 Гб. Очевидно, що якби всі кристали в стеку були б по 12 Гбіт, то Samsung представила б 18-Гбайт чіп, що, ймовірно, вона зробить в осяжному майбутньому.

Мікросхема Samsung ємністю 16 Гбайт виконана в стандарті LPDDR5 з пропускною здатністю 5500 Мбіт/с по кожному контакту шини даних. Це приблизно в 1,3 рази швидше, ніж у випадку мобільного пам'яті LPDDR4X (4266 Мбіт/с). Якщо порівнювати з 8 Гбайт чіпом LPDDR4X (упаковкою), то нова 16-Гбайт мікросхема LPDDR5 на тлі дворазового подвоєння обсягу і зростання швидкості забезпечує 20-відсоткову економію по споживанню.

Зазначимо, 16-Гбайт чіп LPDDR5 зібраний з кристалів пам'яті, випущених з використанням другого покоління техпроцесу класу 10 нм. У другій половині цього року на підприємстві в Південній Кореї Samsung обіцяє приступити до масового випуску 16-Гбіт кристалів LPDDR5 з використанням третього покоління техпроцесу класу 10 нм. Ці кристали будуть не тільки найбільш ємними, але також будуть швидшими з пропускною здатністю 6400 Мбіт/с на контакт.

Сучасні преміальні смартфони і смартфони найближчого майбутнього, впевнені в Samsung, не зможуть обійтися без значного обсягу оперативної пам'яті. «Розумна» фотографія з розширенням динамічного діапазону та іншими «фішками», мобільні гри з приголомшливою графікою, віртуальна і доповнена реальність ― все це з підкріпленням мережами 5G з збільшеною пропускною здатністю і, що більш важливо, з меншими затримками потребує більш швидкого зростання пам'яті в смартфонах, а не в ПК.